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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號：SIRA10DP-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

系列：TrenchFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：60A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：3.7 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：51nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2425pF @ 15V

功率 - 最大值：40W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK SO-8

供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK SO-8