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EFC6602R-TR
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ON安森美半導體完整型號:EFC6602R-TR

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET 2N-CH EFCP

系列:-

FET 類型:2 個 N 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動

漏源極電壓 (Vdss):-

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):-

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):-

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):55nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-

功率 - 最大值:2W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:6-XFBGA

供應商器件封裝:6-EFCP (2.7x1.81)


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