- 產(chǎn)品型號(hào):MMBF4391LT1G
- 制 造 商:ON(安森美半導(dǎo)體)
- 出廠(chǎng)封裝:SOT-23-3
- 功能類(lèi)別:JFET結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:JFET N-CH 30V 225MW SOT23
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào):MMBF4391LT1G
制造廠(chǎng)家名稱(chēng):ON Semiconductor
描述:JFET N-CH 30V 225MW SOT23
系列:-
FET 類(lèi)型:N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):30V
漏源極電壓 (Vdss):30V
不同 Vds (Vgs=0) 時(shí)的電流 - 漏極 (Idss):50mA @ 15V
漏極電流 (Id) - 最大值:-
不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):4V @ 10nA
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):14pF @ 15V
電阻 - RDS(開(kāi)):30 歐姆
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236)
功率 - 最大值:225mW