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NTMFD4C85NT1G
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號: NTMFD4C85NT1G

制造廠家名稱: ON Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

系列: -

FET 類型: 2 N 溝道(雙)非對稱型

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓(Vdss): 30V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 15.4A,29.7A

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值): 3 毫歐 @ 20A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 2.1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 32nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 1960pF @ 15V

功率 - 最大值: 1.13W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 8-PowerTDFN

供應(yīng)商器件封裝: 8-DFN(5x6)


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