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US6K1TR
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ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號(hào): US6K1TR

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6

系列: -

FET 類型: 2 個(gè) N 溝道(雙)

FET 功能: 邏輯電平門

漏源極電壓(Vdss): 30V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 1.5A

不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值): 240 毫歐 @ 1.5A,4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 2.2nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 80pF @ 10V

功率 - 最大值: 1W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 6-SMD,扁平引線

供應(yīng)商器件封裝: TUMT6


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