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STH150N10F7-2
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào):STH150N10F7-2

制造廠(chǎng)家名稱(chēng):STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 100V 90A H2PAK-2

系列:DeepGATE, STripFET VII

FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):110A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):3.9 毫歐 @ 55A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):117nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):8115pF @ 50V

功率 - 最大值:250W

安裝類(lèi)型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝:H2PAK


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