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STP15N60M2-EP
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號: STP15N60M2-EP

制造廠家名稱: STMicroelectronics

功能總體簡述: MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220AB

系列: MDmesh M2

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓(Vdss): 600V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 11A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 378 毫歐 @ 5.5A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 17nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 590pF @ 100V

功率 - 最大值: 110W

安裝類型: 通孔

封裝/外殼: TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝: TO-220


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