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東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào)：TK4A60DB(STA4,Q,M)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：3.7A（Ta）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：2 歐姆 @ 1.9A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4.4V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：540pF @ 25V

功率 - 最大值：35W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3 整包

供應(yīng)商器件封裝：TO-220SIS