- 產(chǎn)品型號:DMC1229UFDB-7
- 制 造 商:Diodes(美臺半導體)
- 出廠封裝:6-UDFN2020
- 功能類別:場效應管陣列
- 功能描述:MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
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Diodes公司完整型號:DMC1229UFDB-7
制造廠家名稱:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
系列:-
FET 類型:N 和 P 溝道
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):12V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):5.6A, 3.8A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):29 毫歐 @ 5A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):19.6nC @ 8V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):914pF @ 6V
功率 - 最大值:1.4W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝:6-UDFN2020(2x2)