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Diodes公司完整型號(hào)：DMN2016LHAB-7

制造廠家名稱(chēng)：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

系列：-

FET 類(lèi)型：2 N 溝道（雙）共漏

FET 功能：邏輯電平門(mén)

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：7.5A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：15.5 毫歐 @ 4A， 4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：16nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1550pF @ 10V

功率 - 最大值：1.2W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：6-UDFN 裸露焊盤(pán)

供應(yīng)商器件封裝：*