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DMN2019UTS-13
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Diodes公司完整型號:DMN2019UTS-13

制造廠家名稱:Diodes Incorporated

描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

系列:-

FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):5.4A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):18.5 毫歐 @ 7A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):8.8nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):143pF @ 10V

功率 - 最大值:780mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)

供應商器件封裝:8-TSSOP


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