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DMN2501UFB4-7
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Diodes公司完整型號(hào):DMN2501UFB4-7

制造廠家名稱:Diodes Incorporated

描述:MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):1A(Ta)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):400 毫歐 @ 600mA,4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):2nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):82pF @ 16V

功率 - 最大值:500mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:3-XFDFN

供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006(1.0x0.6)


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