- 產(chǎn)品型號(hào):DMN65D8L-7
- 制 造 商:Diodes(美臺(tái)半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:SOT-23
- 功能類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
DMN65D8L-7 >>> Diodes芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Diodes公司DMN65D8L-7報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購DMN65D8L-7?不再猶豫,找我們沒錯(cuò)!對(duì)有長期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
Diodes公司完整型號(hào):DMN65D8L-7
制造廠家名稱:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):310mA(Ta)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):3 歐姆 @ 115mA,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):0.87nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):22pF @ 25V
功率 - 最大值:370mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝:SOT-23