- 產(chǎn)品型號(hào):ZXM66N02N8TA
- 制 造 商:Diodes(美臺(tái)半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:8-SO
- 功能類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC
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Diodes公司完整型號(hào):ZXM66N02N8TA
制造廠家名稱:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):9A(Ta)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):15 毫歐 @ 4.1A,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):-
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):-
功率 - 最大值:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:8-SO