- 產(chǎn)品型號:FDMC8200S_F106
- 制 造 商:Fairchild(仙童)
- 出廠封裝:Power33
- 功能類別:場效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
FDMC8200S_F106 >>> Fairchild芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Fairchild公司FDMC8200S_F106報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購FDMC8200S_F106?不再猶豫,找我們沒錯(cuò)!對有長期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
Fairchild仙童公司完整型號:FDMC8200S_F106
制造廠家名稱:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
系列:PowerTrench
FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):6A,8.5A
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):20 毫歐 @ 6A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):10nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):660pF @ 15V
功率 - 最大值:700mW, 1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerWDFN
供應(yīng)商器件封裝:Power33