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FQB1N60TM
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Fairchild仙童公司完整型號:FQB1N60TM

制造廠家名稱:Fairchild Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK

系列:QFET

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):1.2A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):11.5 歐姆 @ 600mA,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):6nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):150pF @ 25V

功率 - 最大值:3.13W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

供應商器件封裝:D2PAK


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