- 產(chǎn)品型號:IRF6613
- 制 造 商:IR(國際整流器公司)
- 出廠封裝:DIRECTFET
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-MT
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IR公司完整型號:IRF6613
制造廠家名稱:International Rectifier
描述:MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-MT
系列:HEXFET
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):40V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):23A(Ta),150A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3.4 毫歐 @ 23A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.25V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):63nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):5950pF @ 15V
功率 - 最大值:2.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:DirectFET 等容 MT
供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET MT