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IRF6668TR1
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IR公司完整型號:IRF6668TR1

制造廠家名稱:International Rectifier

描述:MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ

系列:HEXFET

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):80V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):55A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):15 毫歐 @ 12A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.9V @ 100μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):31nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1320pF @ 25V

功率 - 最大值:2.8W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:DirectFET 等容 MZ

供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET MZ


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