- 產(chǎn)品型號(hào):IRF8113GTRPBF
- 制 造 商:IR(國際整流器公司)
- 出廠封裝:8-SO
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
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IR公司完整型號(hào):IRF8113GTRPBF
制造廠家名稱:International Rectifier
描述:MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
系列:HEXFET
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):17.2A(Ta)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):5.6 毫歐 @ 17.2A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):36nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):2910pF @ 15V
功率 - 最大值:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:8-SO