- 產(chǎn)品型號:IRLHS6376TR2PBF
- 制 造 商:IR(國際整流器公司)
- 出廠封裝:6-PQFN
- 功能類別:場效應管陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
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IR公司完整型號:IRLHS6376TR2PBF
制造廠家名稱:International Rectifier
描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
系列:HEXFET
FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):3.6A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):63 毫歐 @ 3.4A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 10μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):2.8nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):270pF @ 25V
功率 - 最大值:1.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-VDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝:6-PQFN(2x2)