- 產(chǎn)品型號(hào):IXFA6N120P
- 制 造 商:IXYS
- 出廠封裝:TO-263
- 功能類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
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IXYS公司完整型號(hào):IXFA6N120P
制造廠家名稱:IXYS
描述:MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
系列:HiPerFET, PolarP2
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):1200V(1.2kV)
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):6A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):2.4 歐姆 @ 500mA,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):92nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):2830pF @ 25V
功率 - 最大值:250W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝:TO-263 (IXFA)