- 產(chǎn)品型號(hào):IXFN32N100P
- 制 造 商:IXYS
- 出廠封裝:SOT-227B
- 功能類別:場(chǎng)效應(yīng)管模塊
- 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
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IXYS公司完整型號(hào):IXFN32N100P
制造廠家名稱:IXYS
描述:MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
系列:Polar?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):27A
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):320 毫歐 @ 16A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):6.5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):225nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):14200pF @ 25V
功率 - 最大值:690W
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
供應(yīng)商器件封裝:SOT-227B