- 產(chǎn)品型號:IXFT50N30Q3
- 制 造 商:IXYS
- 出廠封裝:TO-268
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 300V 50A TO-268
IXFT50N30Q3 >>> IXYS芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供IXYS公司IXFT50N30Q3報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購IXFT50N30Q3?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
IXYS公司完整型號:IXFT50N30Q3
制造廠家名稱:IXYS
描述:MOSFET N-CH 300V 50A TO-268
系列:HiPerFET?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):300V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):50A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):80 毫歐 @ 25A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):6.5V @ 4mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):65nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):3165pF @ 25V
功率 - 最大值:690W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線+接片),TO-268AA
供應(yīng)商器件封裝:TO-268