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IXTP6N100D2
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IXYS公司完整型號(hào):IXTP6N100D2

制造廠家名稱(chēng):IXYS

描述:MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB

系列:-

FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:耗盡模式

漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):6A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):2.2 歐姆 @ 3A,0V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):95nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):2650pF @ 25V

功率 - 最大值:300W

安裝類(lèi)型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB


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