- 產(chǎn)品型號:MUBW30-12E6K
- 制 造 商:IXYS
- 出廠封裝:E1
- 功能類別:IGBT模塊
- 功能描述:MODULE IGBT CBI E1
深圳市諾森半導電子有限公司提供MUBW30-12E6K報價、現(xiàn)貨供應、技術(shù)資料下載獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格,那就馬上與我們聯(lián)系吧!
MUBW30-12E6K >>> IXYS芯片,深圳市諾森半導電子有限公司提供IXYS公司MUBW30-12E6K報價、現(xiàn)貨供應、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購MUBW30-12E6K?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應服務!
IXYS公司完整型號:MUBW30-12E6K
制造廠家名稱:IXYS
描述:MODULE IGBT CBI E1
系列:-
IGBT 類型:-
配置:三相反相器,帶制動器
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):30A
功率 - 最大值:130W
不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):3.6V @ 15V,30A
電流 - 集電極截止(最大值):1mA
不同 Vce 時的輸入電容 (Cies):1.18nF @ 25V
輸入:三相橋式整流器
NTC 熱敏電阻:是
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:E1
供應商器件封裝:E1