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BSB015N04NX3 G
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Infineon英飛凌公司完整型號:BSB015N04NX3 G

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON

系列:OptiMOS?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):40V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):36A(Ta),180A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):1.5 毫歐 @ 30A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):142nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):12000pF @ 20V

功率 - 最大值:89W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:3-WDSON

供應商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M


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