- 產(chǎn)品型號:BSB044N08NN3 G
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:MG-WDSON-2
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
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Infineon英飛凌公司完整型號:BSB044N08NN3 G
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
系列:OptiMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):80V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):18A(Ta),90A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):4.4 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 97μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):73nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):5700pF @ 40V
功率 - 最大值:78W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-WDSON
供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M