- 產(chǎn)品型號(hào):BSC029N025S G
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:PG-TDSON-8
- 功能類(lèi)別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
BSC029N025S G >>> 英飛凌芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供英飛凌公司BSC029N025S G報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購(gòu)BSC029N025S G?不再猶豫,找我們沒(méi)錯(cuò)!對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性?xún)r(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
Infineon英飛凌公司完整型號(hào):BSC029N025S G
制造廠家名稱(chēng):Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
系列:OptiMOS?
FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss):25V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):24A(Ta),100A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):2.9 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 80μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):41nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):5090pF @ 15V
功率 - 最大值:78W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerTDFN
供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15)