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BSO211P H
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Infineon英飛凌公司完整型號(hào):BSO211P H

制造廠家名稱(chēng):Infineon Technologies

描述:MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO

系列:OptiMOS?

FET 類(lèi)型:2 個(gè) P 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門(mén)

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):4A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):67 毫歐 @ 4.6A,4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 25μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):10nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1095pF @ 15V

功率 - 最大值:1.6W

安裝類(lèi)型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8


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