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Infineon英飛凌公司完整型號：BSO615N G

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

系列：SIPMOS

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：2.6A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：150 毫歐 @ 2.6A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 20μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：20nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：380pF @ 25V

功率 - 最大值：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝：PG-DSO-8