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BSS192PE6327T
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Infineon英飛凌公司完整型號:BSS192PE6327T

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89

系列:SIPMOS

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):250V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):190mA(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):12 歐姆 @ 190mA,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 130μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):6.1nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):104pF @ 25V

功率 - 最大值:1W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-243AA

供應商器件封裝:PG-SOT89-4


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