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Infineon英飛凌公司完整型號：BSS670S2L H6327

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：55V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：540mA（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：650 毫歐 @ 270mA，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 2.7μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：2.26nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：75pF @ 25V

功率 - 最大值：360mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商器件封裝：PG-SOT23-3