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IPB64N25S320ATMA1
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Infineon英飛凌公司完整型號(hào): IPB64N25S320ATMA1

制造廠(chǎng)家名稱(chēng): Infineon Technologies

功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3

系列: OptiMOS?

FET 類(lèi)型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓(Vdss): 250V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 64A(Tc)

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 20 毫歐 @ 64A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 270μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 89nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 7000pF @ 25V

功率 - 最大值: 300W

安裝類(lèi)型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝: PG-TO263-3-2


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