- 產品型號:IPD110N12N3 G
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:PG-TO252-3
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
深圳市諾森半導電子有限公司提供IPD110N12N3 G報價、現(xiàn)貨供應、技術資料下載獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格,那就馬上與我們聯(lián)系吧!
IPD110N12N3 G >>> 英飛凌芯片,深圳市諾森半導電子有限公司提供英飛凌公司IPD110N12N3 G報價、現(xiàn)貨供應、功能介紹、技術資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購IPD110N12N3 G?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產品試產到大批量生產,我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應服務!
Infineon英飛凌公司完整型號:IPD110N12N3 G
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
系列:OptiMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):120V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):75A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):11 毫歐 @ 75A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 83μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):65nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4310pF @ 60V
功率 - 最大值:136W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商器件封裝:PG-TO252-3