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IPD12CNE8N G
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Infineon英飛凌公司完整型號(hào):IPD12CNE8N G

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

系列:OptiMOS?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):85V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):67A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):12.4 毫歐 @ 67A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 83μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):64nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):4340pF @ 40V

功率 - 最大值:125W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應(yīng)商器件封裝:PG-TO252-3


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