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Infineon英飛凌公司完整型號：IPD180N10N3 G

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：43A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：18 毫歐 @ 33A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 33μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：25nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1800pF @ 50V

功率 - 最大值：71W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3