- 產(chǎn)品型號(hào):IPI60R199CP
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:PG-TO262-3
- 功能類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
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Infineon英飛凌公司完整型號(hào):IPI60R199CP
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
系列:CoolMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):16A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):199 毫歐 @ 9.9A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 660μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):43nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1520pF @ 100V
功率 - 最大值:139W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO262-3