- 產(chǎn)品型號(hào):SPB42N03S2L-13 G
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:P-TO263-3
- 功能類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
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Infineon英飛凌公司完整型號(hào):SPB42N03S2L-13 G
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
系列:OptiMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):42A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):12.6 毫歐 @ 21A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 37μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):30.5nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1130pF @ 25V
功率 - 最大值:83W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝:P-TO263-3