- 產品型號:MG12150D-BA1MM
- 制 造 商:Littelfuse(力特半導體)
- 出廠封裝:模塊
- 功能類別:晶體管IGBT模塊
- 功能描述:IGBT 1200V 210A 1100W PKG D
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制造商零件編號:MG12150D-BA1MM
制造商:Littelfuse Inc.
描述:IGBT 1200V 210A 1100W PKG D
零件狀態(tài):在售
IGBT 類型:-
配置:半橋
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V
電流 - 集電極(Ic)(最大值):210A
功率 - 最大值:1100W
不同 Vge,Ic 時的 Vce(on):1.8V @ 15V,150A(標準)
電流 - 集電極截止(最大值):1mA
不同 Vce 時的輸入電容(Cies):11nF @ 25V
輸入:標準
NTC 熱敏電阻:無
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
供應商器件封裝:D3