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Microchip公司完整型號：DN2625DK6-G

制造廠家名稱：Microchip Technology

描述：MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN

系列：-

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：耗盡模式

漏源極電壓 (Vdss)：250V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：1.1A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.5 歐姆 @ 1A， 0V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：7.04nC @ 1.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1000pF @ 25V

功率 - 最大值：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-VDFN 裸露焊盤

供應(yīng)商器件封裝：8-DFN （5x5）