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APTM100A12STG
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Microsemi美高森美完整型號(hào):APTM100A12STG

制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group

描述:MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W

系列:-

FET 類型:2 個(gè) N 通道(半橋)

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):68A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):120 毫歐 @ 34A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):616nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):17400pF @ 25V

功率 - 最大值:1250W

安裝類型:底座安裝

封裝/外殼:SP3

供應(yīng)商器件封裝:SP3


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