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BUK9E1R6-30E,127
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NXP恩智浦完整型號:BUK9E1R6-30E,127

制造廠家名稱:NXP Semiconductors

描述:MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

系列:TrenchMOS?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):120A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):1.4 毫歐 @ 25A, 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):113nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):16150pF @ 25V

功率 - 最大值:349W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

供應商器件封裝:I2PAK


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