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PHKD6N02LT,518
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NXP恩智浦完整型號:PHKD6N02LT,518

制造廠家名稱:NXP Semiconductors

描述:MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1

系列:TrenchMOS?

FET 類型:2 個 N 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):10.9A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):20 毫歐 @ 3A,5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):15.3nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):950pF @ 10V

功率 - 最大值:4.17W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

供應商器件封裝:8-SO


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