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PMDT670UPE,115
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NXP恩智浦完整型號:PMDT670UPE,115

制造廠家名稱:NXP Semiconductors

描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666

系列:-

FET 類型:2 個 P 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):550mA

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):850 毫歐 @ 400mA,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):1.14nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):87pF @ 10V

功率 - 最大值:330mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:SOT-563,SOT-666

供應(yīng)商器件封裝:SOT-666


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