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PMWD19UN,518
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NXP恩智浦完整型號:PMWD19UN,518

制造廠家名稱:NXP Semiconductors

描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

系列:TrenchMOS?

FET 類型:2 個 N 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):5.6A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):23 毫歐 @ 3.5A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):28nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1478pF @ 10V

功率 - 最大值:2.3W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)

供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP


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