- 產(chǎn)品型號(hào):PMWD30UN,518
- 制 造 商:NXP(恩智浦半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:8-TSSOP
- 功能類別:場(chǎng)效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
PMWD30UN,518 >>> NXP芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供NXP公司PMWD30UN,518報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購(gòu)PMWD30UN,518?不再猶豫,找我們沒(méi)錯(cuò)!對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
NXP恩智浦完整型號(hào):PMWD30UN,518
制造廠家名稱:NXP Semiconductors
描述:MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
系列:TrenchMOS?
FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):5A
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):33 毫歐 @ 3.5A,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):28nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1478pF @ 10V
功率 - 最大值:2.3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP