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PSMN1R8-30BL,118
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NXP恩智浦完整型號(hào):PSMN1R8-30BL,118

制造廠家名稱:NXP Semiconductors

描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門(mén)

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):1.8 毫歐 @ 25A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):170nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):10180pF @ 15V

功率 - 最大值:270W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝:D2PAK


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