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PSMN8R0-30YL,115
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NXP恩智浦完整型號(hào):PSMN8R0-30YL,115

制造廠家名稱:NXP Semiconductors

描述:MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK

系列:TrenchMOS?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):62A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):8.3 毫歐 @ 15A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):18.3nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1005pF @ 15V

功率 - 最大值:56W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK

供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56, Power-SO8


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