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PHD9NQ20T
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Nexperia公司器件型號:PHD9NQ20T,118

制造商:Nexperia USA Inc.(安世半導體)-2017年從NXP分離

功能總體描述:MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK

所屬類別:FET,MOSFET - 單-晶體管

系列:TrenchMOS??

零件狀態(tài):在售

FET 類型:N 溝道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源極電壓(Vdss):200V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8.7A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):-

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值):24nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):959pF @ 25V

Vgs(最大值):-

FET 功能:-

功率耗散(最大值):88W(Tc)

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值):400 毫歐 @ 4.5A,10V

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝

Nexperia公司標準封裝:DPAK

封裝形式:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

PHD9NQ20T的標準包裝數(shù)量(SPQ):10000 PCS


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