- 產(chǎn)品型號:PHK18NQ03LT
- 制 造 商:Nexperia(安世半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 功能類別:FET,MOSFET - 單-晶體管
- 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC
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Nexperia公司器件型號:PHK18NQ03LT,518
制造商:Nexperia USA Inc.(安世半導(dǎo)體)-2017年從NXP分離
功能總體描述:MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC
所屬類別:FET,MOSFET - 單-晶體管
系列:TrenchMOS??
零件狀態(tài):在售
FET 類型:N 溝道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源極電壓(Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):20.3A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):-
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值):10.6nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1380pF @ 12V
Vgs(最大值):-
FET 功能:-
功率耗散(最大值):6.25W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值):8.9 毫歐 @ 25A,10V
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝
Nexperia公司標準封裝:8-SO
封裝形式:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
PHK18NQ03LT的標準包裝數(shù)量(SPQ):10000 PCS